[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201680005088.3 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN107112228B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 荒桥知未 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B7/22;C09J7/20;C09J7/38;C09J133/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上具有粘合剂层，其中，在23℃对不锈钢的粘合力为0.3N/25mm～10N/25mm，加热至50℃时的粘合力为23℃时的粘合力的40％以下，并且纯水刚滴落在上述粘合剂层表面后的接触角为100°以上，纯水自滴落起10分钟后的接触角为65°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 胶带 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其为在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，在23℃对不锈钢的粘合力为0.3N/25mm～10N/25mm，加热至50℃时的粘合力为23℃时的粘合力的40％以下，并且，纯水刚滴落在所述粘合剂层表面后的接触角为100°以上，纯水自滴落起10分钟后的接触角为65°以上100°以下，在所述粘合剂层中含有酸值为20～50(mgKOH/g)的(甲基)丙烯酸系聚合物，所述粘合剂层为压敏型粘合剂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680005088.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热压机自动上板设备及自动生产线
- 下一篇：一种热压机自动生产线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
