[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带有效
| 申请号： | 201680005089.8 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN107112229B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 横井启时 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/29;C09J7/24;C09J7/20;C09J11/06;C09J133/08;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片用粘合片，其为由基材膜、中间树脂层和粘合剂层构成的半导体晶片用胶带，其中，基材膜的熔点超过90℃，弯曲模量为1GPa～10GPa，中间树脂层是由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂或乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂构成的1层，或者由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂和聚乙烯树脂的2层构成，基材膜侧为聚乙烯树脂，层比例为聚乙烯树脂：共聚物树脂＝1：9～5：5，中间树脂层的树脂的熔点为50℃～90℃的范围，且弯曲模量为1MPa～100MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 胶带 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片用粘合片，其为至少由基材膜、中间树脂层和粘合剂层构成的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述基材膜的熔点超过90℃，弯曲模量为1GPa～10GPa，所述中间树脂层是由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂或乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂构成的1层，或者由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂和聚乙烯树脂这2层构成，基材膜侧为聚乙烯树脂，层比例为聚乙烯树脂：共聚物树脂＝1：9～5：5，所述中间树脂层的树脂的熔点为50℃～90℃的范围，且弯曲模量为1MPa～100MPa。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
