[发明专利]半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片

摘要

本发明涉及形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，对形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割后，对背面进行研削加工时将晶片厚度尽可能磨薄，保护凸块的凹凸部分的表面，并且能够将研磨后的半导体晶片容易分割成各个芯片。通过UV硬化型粘合层在紫外线照射之前维持高的粘结强度，而紫外线照射之后，容易剥离半导体芯片而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面，并且通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(Grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片开裂，另外，本发明具有以下效果，将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(Grinding)工艺时提高紫外线硬化型粘合片在晶片研削装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，由此能够使半导体晶片的厚度偏差达到最小。

主权项

一种形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，是以基材层、在所述基材层的上部形成的软质层、在所述软质层的上部形成的UV硬化型粘合层以及在所述UV硬化型粘合层的上部形成的离型膜层的顺序依次层叠的结构。