[发明专利]pFET区域中的应变释放

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括提供绝缘体上应变硅(SSOI)结构，该SSOI结构包括设置在衬底(10)上的电介质层(20)、设置在电介质层(20)上的硅锗层(30)、以及直接设置在硅锗层(30)上的应变半导体材料层(40)；在SSOI结构上形成多个鳍(43、45)；在nFET区域中的至少一个鳍的部分之上形成栅极结构(50)；在pFET区域中的至少一个鳍的部分之上形成栅极结构(60)；去除pFET区域中的至少一个鳍的部分之上的栅极结构(60)；去除通过上述去除而被暴露的硅锗层(30)；以及在pFET区域中的至少一个鳍的部分之上形成新的栅极结构(90)，以使得新的栅极结构(90)在全部四侧包围该部分。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供绝缘体上应变硅(SSOI)结构，其中所述SSOI结构至少包括衬底、设置在所述衬底上的电介质层、设置在所述电介质层上的硅锗层、以及直接设置在所述硅锗层上的应变半导体材料层；通过将所述应变半导体材料层和所述硅锗层向下蚀刻到所述电介质层而在所述SSOI结构上形成多个鳍，其中所述多个鳍中的至少一个鳍位于所述SSOI结构的nFET区域中，并且所述多个鳍中的至少一个鳍位于所述SSOI结构的pFET区域中；在所述多个鳍中的位于所述nFET区域中的所述至少一个鳍的第一部分之上形成第一栅极结构；在所述多个鳍中的位于所述pFET区域中的所述至少一个鳍的第二部分之上形成第二栅极结构，以使得所述第二栅极结构在三侧包围所述第二部分；去除所述多个鳍中的位于所述pFET区域中的所述至少一个鳍的所述第二部分之上的所述第二栅极结构；去除通过去除所述第二部分之上的所述第二栅极结构而被暴露的所述硅锗层；以及在所述多个鳍中的位于所述pFET区域中的所述至少一个鳍的所述第二部分之上形成第三栅极结构，以使得所述第三栅极结构在全部四侧包围所述第二部分。