[发明专利]半导体逻辑元件和逻辑电路

摘要

本发明涉及一种半导体逻辑元件，其包含具有第一导电性类型的场效应晶体管及具有第二导电性类型的场效应晶体管。该第一FET的栅极为该半导体逻辑元件的输入端，该第二FET的漏极称为该半导体逻辑元件的输出端，且该第二FET的源极为该半导体逻辑元件的源极。通过将适用电位施加至该等场效应晶体管的端子，有可能影响该逻辑元件之该输出端的状态。本发明亦涉及包含所描述逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

主权项

一种半导体逻辑元件，其包含在下文中称为第一FET的具有第一导电性类型的场效应晶体管及在下文中称为第二FET的具有第二导电性类型的场效应晶体管；其中所述半导体逻辑元件包含内部节点，其中所述内部节点至少部分地通过所述第一FET的漏极及所述第二FET的栅极形成，其中所述第一FET的栅极在下文中称为所述半导体逻辑元件的输入端，其中所述输入端被配置以耦接至第一输入逻辑电位或第二输入逻辑电位，其中所述第二FET的漏极称为所述半导体逻辑元件的输出端，其中所述第二FET的源极为所述半导体逻辑元件的源极，其中所述半导体逻辑元件被配置以使得当所述第一FET的源极布置在第一源极电位时且当所述第二FET的源极处于第一输出逻辑电位时且当所述输入端处于所述第一输入逻辑电位时，包含迁移第一导电性类型电荷载流子的导电通道建立于所述第一FET的源极与所述第一FET的漏极之间，从而将所述内部节点调整至第一源极电位，且使得所述第二FET的源极与所述第二FET的漏极之间的通道处于不导电状态，因此使得所述半导体逻辑元件的输出端能够处于所述第一输出逻辑电位或所述第二输出逻辑电位；且其中所述半导体逻辑元件进一步被配置以使得当所述第一FET的源极布置在第一源极电位时且当所述第二FET的源极处于第一输出逻辑电位时且当所述输入端处于所述第二输入逻辑电位时，所述第一FET的源极与所述第一FET的漏极之间的该通道被布置为处于不导电状态，使得所述内部节点调整至在所述第二FET的源极与所述第二FET的漏极之间建立包含迁移第二导电性类型电荷载流子的导电通道的电位，从而将该输出端调整至第一输出逻辑电位。