[发明专利]具有法拉第笼的集成电路组件有效
申请号: | 201680006046.1 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN107210285B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | M·A·施图贝尔 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种集成电路组件形成有绝缘层、半导体层、有源器件、第一、第二和第三导电互连层以及多个导电通孔。绝缘层具有第一表面和第二表面。第二表面位于第一表面下方。衬底层已经从第二表面被去除。半导体层具有第一表面和第二表面。半导体层的第一表面接触绝缘层的第一表面。有源器件形成在半导体层的区域中。第一导电互连层形成导电环。第二导电互连层在导电环和半导体层的区域上方形成第一导电板。第三导电互连层在导电环和半导体层的区域下方形成第二导电板。多个导电通孔将导电环电耦合到第一导电板和第二导电板。导电环、第一导电板、第二导电板和多个导电通孔在有源器件周围形成法拉第笼。 | ||
搜索关键词: | 具有 法拉第 集成电路 组件 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路组件,包括:绝缘层,具有第一表面和第二表面,所述第二表面在所述第一表面下方,其中衬底层从所述第二表面被去除;半导体层,具有第一表面和第二表面,所述半导体层的所述第一表面接触所述绝缘层的所述第一表面;有源器件,形成在所述半导体层的区域中;第一导电互连层,形成导电环;第二导电互连层,在所述导电环和所述半导体层的所述区域上方形成第一导电板;第三导电互连层,在所述导电环、所述绝缘层和所述半导体层的所述区域下方形成第二导电板;以及多个导电通孔,将所述导电环电耦合到所述第一导电板和所述第二导电板;其中所述导电环、所述第一导电板、所述第二导电板和所述多个导电通孔在所述有源器件周围形成法拉第笼;以及其中所述导电环中包括开口,所述第一导电互连层还包括被布置穿过所述导电环中的所述开口的导电连接线,以及所述导电连接线将所述有源器件电连接到在所述法拉第笼外的所述半导体层的第二区域中的第二有源器件。
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