[发明专利]集成电路器件和方法有效

专利信息
申请号: 201680006456.6 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN107210286B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: J·J·徐;包钧敬;J·J·朱;S·S·宋;N·N·莫朱梅德;C·F·耶普 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768;G05B19/418;B29C64/386;B33Y50/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;崔卿虎
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种集成电路器件包括包含铝的第一金属层。集成电路器件包括包含互连结构的第二金属层。互连结构包括包含铝的第一材料层。集成电路器件包括包含铝的互扩散层。互扩散层紧邻第一金属层并且紧邻包含铝的第一材料层。集成电路器件包括包含铝的自形成阻挡层。自形成阻挡层紧邻电介质层并且紧邻包含铝的第一材料层。
搜索关键词: 集成电路 器件 方法
【主权项】:
一种集成电路器件,包括:包含铝的第一金属层;包括互连结构的第二金属层,其中所述互连结构包括包含铝的第一材料层;包含铝的互扩散层,所述互扩散层紧邻所述第一金属层并且紧邻所述包含铝的第一材料层;以及包含铝的自形成阻挡层,所述自形成阻挡层紧邻电介质层和所述包含铝的第一材料层。
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