[发明专利]传感器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680007023.2 | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107210359B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 中村正广 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;G01R33/07;G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高S/N且温度特性优异的传感器装置。传感器装置(100)具备：半导体基板(101)、设置在半导体基板(101)上的第一金属布线层(111)、设置在第一金属布线层(111)上的第一绝缘层(121)、设置在第一绝缘层(121)上的化合物半导体传感器元件(131)、设置在化合物半导体传感器元件(131)和第一绝缘层(121)上的第二金属布线层(112)以及设置在第二金属布线层(112)上的第二绝缘层(122)。在第一金属布线层(111)与第二金属布线层(112)之间具备第三绝缘层(123)，化合物半导体传感器元件(131)设置在第三绝缘层(123)中。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种传感器装置，其特征在于，具备：半导体基板；第一金属布线层，其设置在所述半导体基板上；第一绝缘层，其设置在所述第一金属布线层上；化合物半导体传感器元件，其设置在所述第一绝缘层上；第二金属布线层，其设置在所述化合物半导体传感器元件和所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，其设置在所述第二金属布线层上。
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