[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680007452.X 申请日: 2016-02-02
公开(公告)号: CN107360731B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 松岛德彦;村尾彰了;北山贤;后藤繁;稻井诚一郎;芝原求己 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0224
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朴英淑
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的一方式涉及的太阳能电池元件,具备:半导体基板,具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面;钝化膜,配置于该半导体基板的所述第2面;第1电极,以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接;第2电极,在俯视下不与该第1电极重叠的位置处,在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上,直线状配置该第2电极;以及第3电极,分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极,并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接,所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
搜索关键词: 太阳能电池 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池元件,具备:半导体基板,具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面;钝化膜,配置于该半导体基板的所述第2面;第1电极,以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接;第2电极,在俯视下不与该第1电极重叠的位置处,在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上,直线状配置该第2电极;以及第3电极,分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极,并且在未将所述钝化膜贯通的状态下分别与所述第1电极以及所述第2电极相接,所述第1电极以及所述第3电极由以铝为主成分的材料构成,所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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