[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法

摘要

本发明提供一种正型感光性硅氧烷组合物，其形成的膜具有高耐热性、高强度以及高耐裂纹性；一种有源矩阵基板，不产生副产物，不良的产生被加以抑制，容易以低价形成层间绝缘膜，透射率良好；具备该有源矩阵基板的显示装置以及该有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(30)具备在绝缘基板(10)上相互平行地延伸地设置的多条栅极布线(11)、和在与各栅极布线(11)交叉的方向相互平行地延伸地设置的多条源极布线(12)。在源极布线(12)的下侧且包含栅极布线(11)与源极布线(12)的交叉部分的部分，夹杂层间绝缘膜(14)及栅极绝缘膜(15)。层间绝缘膜(14)使用正型感光性硅氧烷组合物而形成，不使用光阻。

主权项

一种正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，含有：(I)在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少两种以上的聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸产生剂以及(IV)溶剂，所述聚硅氧烷(I)是(A)与(B)的混合物，(A)聚硅氧烷(Ia)，将由下述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜可溶于5质量％TMAH水溶液，该膜的溶解速度为以下，R1nSi(OR2)4‑n式中，R1表示任意的亚甲基被氧取代或未被氧取代的碳数为1～20的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳数为6～20且任意的氢被氟取代或未被氟取代的芳基，R2表示碳数为1～5的烷基，n表示0或1，(B)聚硅氧烷(Ib)，将由所述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂或酸性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解速度为以上。