[发明专利]有机化合物、其制造方法、含有其的有机半导体材料及含有其的有机晶体管在审
| 申请号： | 201680008270.4 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107207458A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 稻垣翔;水口良;饵取秀树;石塚亚弥 | 申请（专利权）人： | DIC株式会社 |
| 主分类号： | C07D333/50 | 分类号： | C07D333/50;C07B61/00;C09D5/24;C09D7/12;C09D11/52;C09D201/00;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在溶剂中的溶解性优异、即使不经由复杂的工艺也容易地生产出呈高迁移率的膜的化合物、及使用其的有机半导体材料，进而还提供能够简便地制作实用的构成的有机晶体管的有机半导体墨。通过二萘并噻吩衍生物的制造方法来解决问题，其是一种二萘并噻吩衍生物的制造方法，具有以下(I)及(II)的工序。((I)第一工序，使通式(A)所示的萘酚衍生物和通式(B)所示的萘硫酚衍生物在酸存在下脱水缩合，制造通式(C)所示的硫醚衍生物；(II)第二工序，通过前述硫醚衍生物(C)在过渡金属的盐或过渡金属的络合物存在下的脱氢化反应，制造二萘并噻吩衍生物(D)。)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机化合物 制造 方法 含有 有机 半导体材料 晶体管 | ||
【主权项】：
一种二萘并噻吩衍生物的制造方法，其是通式(D)所示的二萘并噻吩衍生物的制造方法，所述制造方法具有以下(I)及(II)的工序，(I)第一工序，使通式(A)所示的萘酚衍生物和通式(B)所示的萘硫酚衍生物在酸存在下脱水缩合，制造通式(C)所示的硫醚衍生物；(II)第二工序，通过所述硫醚衍生物(C)在过渡金属的盐或过渡金属的络合物存在下的脱氢化反应，制造二萘并噻吩衍生物(D)，各式中，R1～R12表示氢原子、或任意取代基。
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