[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680008296.9 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107318272B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 荒木龙 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/337 | 分类号： | H02M3/337;H02M5/458;H02M1/42;H02M1/08;H02M7/5387;H02M7/5388;H02P27/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够降低开关损耗的半导体装置。半导体装置具有串联连接的第一半导体元件(Su)～(Sw)和第二半导体元件(Sx)～(Sz)，第一半导体元件是由具有比第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，第二半导体元件是由具有比第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有串联连接的第一半导体元件和第二半导体元件，所述第一半导体元件是由具有比所述第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，所述第二半导体元件是由具有比所述第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的，所述半导体装置还具有控制电路，该控制电路被配置为控制所述第一半导体元件在断开状态和脉宽调制即PWM状态之间交替，以及控制所述第二半导体元件在断开状态、脉宽调制即PWM状态和始终接通状态之间交替。
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