[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储装置(1)中，不使用如现有的控制电路，可通过施加到存储器电容(4)的存储器栅极(G)和字线的电压值，通过整流元件(3)阻断从存储器栅极(G)施加到字线的电压，因此不需要如现有的开关晶体管或者用于使开关晶体管进行导通和截止动作的开关控制电路，从而相应地能够实现小型化。另外，在半导体存储装置(1)中，通过彼此相邻的四个反熔丝存储器(2a6，2a7，2a10，2a11)共用一个位线连接器(BC15)，且例如彼此相邻的四个反熔丝存储器(2a3，2a4，2a7，2a8)共用一个字线连接器(WC12)，由此与每个反熔丝存储器上设置位线连接器和字线连接器的情况相比，能够实现整体装置的小型化。

主权项

一种半导体存储装置，在多个字线和多个位线的各交叉位置配置有反熔丝存储器，其特征在于，各所述反熔丝存储器包括：存储器电容，其中，夹着存储器栅绝缘膜设置有存储器栅极，在阱上形成的一侧的扩散区域通过位线连接器连接有所述位线；整流元件，设置在所述存储器栅极与所述字线之间，来自所述字线的电压经由字线连接器被施加到所述存储器栅极，并通过施加到所述存储器栅极和所述字线的电压值，阻断从所述存储器栅极施加到所述字线的电压，其中，两个以上的所述反熔丝存储器共用一个所述位线连接器。