[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201680008701.7 | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107278331B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 文珍旭;金尹会;金宰湖;李奎范;李裁玩 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管，其包括：形成在基板上的栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成的栅绝缘体；在所述栅绝缘体上与所述栅电极对应形成的第一有源层；在所述第一有源层之上或之下形成的第二有源层；以及被形成为彼此相隔一定距离的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接到所述第一有源层或者所述第二有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极，其形成在基板上；栅绝缘体，其形成在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上；第一有源层，其在所述栅绝缘体上形成在所述栅电极上；第二有源层，其形成在所述第一有源层之上或之下，所述第二有源层包括氧化锌层(ZnO)和氧化镓锌层(GZO)；以及源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极间隔开预定距离并且连接到所述第一有源层或者所述第二有源层。
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