[发明专利]膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201680008936.6 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107210236B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 小寺省吾;笠井涉;铃木政己 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/433;H01L23/495;H01L27/14;C08G18/48;C08G18/62;C08G18/75;C08G18/79;C08G18/80;C08K5/00;C08K5/43 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 温剑;张佳鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1，其中，具备基材3和粘接层5，基材3在180℃时的储能模量为10～100MPa，粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 以及 使用 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.适合作为半导体元件制造用的脱模膜的膜，它是具有基材以及设置在所述基材的一面上的粘接层的膜，其特征在于，所述基材的180℃时的储能模量为10～100MPa，所述粘接层是含有具有羟基的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物的粘接层用组合物的反应固化物，所述丙烯酸类聚合物的羟基与羧基的总当量在2000g/摩尔以下，所述粘接层用组合物中的MCOOH/(MNCO‑MOH)为0～1.0，MNCO/(MCOOH+MOH)为0.4～3.5，其中，MOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH，MCOOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羧基的摩尔数，MNCO是来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
