[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680009217.6 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN107250807B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 高畑利彦;竹谷英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;H01L23/02;H01L23/26;H01L29/84 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军<国际申请>=PCT/JP2016 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法具备以下工序：准备第1基板(10)；在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17)；准备第2基板(20)；在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24)；通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火，将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去，将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，/n上述半导体装置具备：/n第1基板(10)，具有一面(10a)；/n第2基板(20)，具有一面(20a)，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；/n传感部(15)，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；/n第1焊盘部(17)，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及/n第2焊盘部(24)，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接；/n上述半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：/n准备上述第1基板；/n在上述第1基板的一面形成最表面为Ti层(40b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第1焊盘部；/n准备上述第2基板；/n在上述第2基板的一面形成最表面为Ti层(41b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第2焊盘部；/n通过将上述第1基板及上述第2基板进行真空退火，除去在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜；以及/n将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。/n
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