[发明专利]驻极体元件、机电转换器以及驻极体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201680009509.X | 申请日： | 2016-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN107251402B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 藤田博之;桥口原;芦泽久幸;三屋裕幸;石桥和德 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;株式会社鹭宫制作所 |
| 主分类号： | H02N1/00 | 分类号： | H02N1/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 驻极体元件具备Si层、在Si层的表面形成的SiO2层以及在SiO2层的与Si层的界面的近旁形成的驻极体。 | ||
| 搜索关键词： | 驻极体 元件 机电 转换器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种驻极体元件，其特征在于，具备：Si层；在所述Si层的表面形成的SiO2层；以及在所述SiO2层的与所述Si层的界面的近旁形成的驻极体；其中，构成所述驻极体的表面电荷被固定在所述界面附近，并且所述SiO2层作为所述驻极体的保护膜。
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