[发明专利]用于检测三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的硅穿孔(TSV)裂纹的TSV裂纹传感器以及相关方法和系统在审
| 申请号： | 201680009895.2 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107407702A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李圣奎;瑞提柏·瑞多席克;杜杨 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165;G01R31/28;G01R31/3185;H01L21/66;H01L23/48;H01L23/58;H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开用于检测三维3D集成电路IC 3DIC中的硅穿孔TSV裂纹的TSV裂纹传感器以及相关方法和系统。在一个方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，在所述TSV裂纹传感器电路中，用于多个TSV的掺杂环以并联方式互连，使得可通过将单一电流提供到所述互连掺杂环的触点中来同时测试所有互连的TSV掺杂环。在另一方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，其包含一或多个冗余TSV。单独测试用于对应TSV的每一掺杂环，并且用未检测到掺杂环破裂的备用TSV替换有缺陷的TSV。此电路允许通过用备用TSV替换可能受损的TSV来修正受损的3DIC。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 三维 集成电路 ic dic 中的 穿孔 tsv 裂纹 传感器 以及 相关 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路3DIC，其包括：多个硅穿孔TSV，其配置成使所述3DIC的至少两个层互连；多个TSV裂纹传感器，所述多个TSV裂纹传感器中的每一TSV裂纹传感器对应于所述多个TSV中的一个TSV，每一TSV裂纹传感器包括：掺杂环，其围绕所述对应的TSV设置；第一触点，其设置于所述掺杂环的第一位置上；以及第二触点，其设置于所述掺杂环的第二位置上，使得在所述掺杂环中在所述第一触点与所述第二触点之间提供掺杂环电阻，所述掺杂环电阻包括第一电阻与第二电阻的并联电阻；第一互连件，其耦合到所述多个TSV裂纹传感器中的每一TSV裂纹传感器的所述第一触点并且耦合到第一导体；以及第二互连件，其耦合到所述多个TSV裂纹传感器中的每一TSV裂纹传感器的所述第二触点并且耦合到第二导体。
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