[发明专利]陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法有效

专利信息
申请号: 201680010158.4 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN107210102B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: U.沃兹尼亚克;T.法伊希廷格 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: H01C1/148 分类号: H01C1/148;H01C7/102;H01C7/108;H01C7/18;H01C7/10;H01C17/065;H01C17/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;杜荔南
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 描述一种多层器件(1),其具有陶瓷基体(2)和至少一个金属结构(3、5、6),其中所述金属结构(3、5、6)被共同烧结,其中所述基体(2)具有拥有金属结构(3、5、6)的材料的掺杂物,并且其中所述基体(2)利用金属结构(3、5、6)的材料来掺杂,使得减小在烧结过程期间材料从金属结构(3、5、6)到基体(2)中的扩散。还描述一种用于制造多层器件(1)的方法。
搜索关键词: 陶瓷 多层 器件 用于 制造 方法
【主权项】:
1.具有陶瓷基体(2)和金属结构(3、5、6)的载体器件(1),所述金属结构被布置在所述陶瓷基体中,具有至少一个内电极(3)和至少一个通孔(6),其中‑ 所述金属结构(3、5、6)被共同烧结,‑ 所述金属结构(3、5、6)具有≥99%的银,‑ 所述基体(2)具有0.1至1摩尔百分比的由金属结构(3、5、6)的金属的化学化合物构成的掺杂物,使得减小在烧结过程期间材料从金属结构(3、5、6)到基体(2)中的扩散,并且‑ 所述基体(2)是以液相烧结的压敏电阻陶瓷,以及‑ 所述基体(2)具有以下组成:‑‑ ≥90%摩尔的ZnO,‑‑ 0.5%至5%摩尔的Sb2O3或Bi2O3,‑‑ 0.05%至2%摩尔的Co3O4、Mn2O3、SiO2和/或Cr2O3,‑‑ <0.1%摩尔的B2O3、Al2O3和/或NiO。
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