[发明专利]光提取效率得到提高的发光元件有效
| 申请号： | 201680010321.7 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107251240B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张锺敏;柳宗均;金多慧;金材宪;裵善敏;林栽熙 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/40;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 效率 得到 提高 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，所述发光结构体具有非极性或半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或半极性面，所述第二接触电极包括：导电性氧化物层，与所述第二导电型半导体层欧姆接触；以及反射电极层，位于所述导电性氧化物层上，所述发光结构体包括与所述第一导电型半导体层的一面对应的第一面以及与所述第二导电型半导体层的一面对应的第二面，所述发光结构体的第一面包括具有多个突出部的变粗糙的表面，所述突出部包括与所述第一面形成的角度彼此不同的至少三个侧面。
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