[发明专利]p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201680010408.4 | 申请日: | 2016-02-10 |
公开(公告)号: | CN107210201B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 池上由洋;村濑清一郎;稻叶智雄 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李国卿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的,本发明具有以下构成。即,p型杂质扩散组合物,其特征在于,包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂,作为所述(C)有机溶剂,含有(C1)环状酯系溶剂。 | ||
搜索关键词: | 杂质 扩散 组合 使用 半导体 元件 制造 方法 以及 太阳能电池 及其 | ||
【主权项】:
p型杂质扩散组合物,其包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂,所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680010408.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种隐形防伪连接线
- 下一篇:变压器磁芯、网络变压器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造