[发明专利]用于过电压保护的装置和方法有效
申请号: | 201680010460.X | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN107408555B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | E·J·考尼 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种保护装置,其被放置在输入或信号节点与待保护节点之间的串联连接。如果待保护节点是相对较高的阻抗节点,例如MOSFET的栅极,则保护装置不需要承载很多电流。这使它能够被构建得非常快。这使得其能够快速响应过电压事件以便保护连接到待保护节点的电路。该保护装置可以与提供更大载流能力和可控触发电压的其它保护单元结合使用,但是其本身作用较慢。 | ||
搜索关键词: | 用于 过电压 保护 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种电子系统,包括:连接在输入节点和待保护节点之间的一个或多个串联过电压保护结型场效应晶体管(JFETs),其中所述一个或多个串联过电压保护JFETs在所述输入节点和所述待保护节点之间提供电压阻塞以响应所述输入节点处的电过应力事件;电连接到所述待保护节点的内部电路,其中所述一个或多个串联过电压保护JFETs具有小于所述内部电路的击穿电压的夹断电压;和连接在所述输入节点和放电节点之间的并联过电压保护双极装置,其中所述并联过电压保护双极装置从高阻抗状态转变到低阻抗状态以响应所述输入节点处的所述电过应力事件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的