[发明专利]存储器单元有效

专利信息
申请号: 201680010690.6 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN107251223B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 卡迈勒·M·考尔道;陶谦;杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;刘海涛;柯尔克·D·普拉尔;阿绍尼塔·A·恰范 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11507 分类号: H01L27/11507;H01L49/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示一种存储器单元,其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极,其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径,且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
搜索关键词: 存储器 单元
【主权项】:
一种存储器单元,其包括:选择装置;电容器,其与所述选择装置串联电耦合,所述电容器包括两个导电电容器电极,所述两个导电电容器电极具有介于其之间的铁电材料,所述电容器包括从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径;及平行电流泄漏路径,其从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极,所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径且具有比所述本征路径低的总电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680010690.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top