[发明专利]存储器单元有效
申请号: | 201680010690.6 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN107251223B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 卡迈勒·M·考尔道;陶谦;杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;刘海涛;柯尔克·D·普拉尔;阿绍尼塔·A·恰范 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11507 | 分类号: | H01L27/11507;H01L49/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种存储器单元,其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极,其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径,且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。 | ||
搜索关键词: | 存储器 单元 | ||
【主权项】:
一种存储器单元,其包括:选择装置;电容器,其与所述选择装置串联电耦合,所述电容器包括两个导电电容器电极,所述两个导电电容器电极具有介于其之间的铁电材料,所述电容器包括从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径;及平行电流泄漏路径,其从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极,所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径且具有比所述本征路径低的总电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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