[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

摘要

本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。[解决手段]该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。

主权项

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe，B的一部分能够用C置换，所述制造方法的特征在于，包括：准备R1－T1－A－X系合金烧结体的工序，其中，R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd、并且R1为27mass％以上35mass％以下，T1为Fe或Fe和M，M为选自Ga、Al、Si、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge和Ag中的一种以上，A为Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，[T1]/([X]－2[A])的mol比为13.0以上，X为B且B的一部分能够用C置换；准备R2－Ga－Cu系合金的工序，其中，R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Pr和/或Nd、并且R2为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以mol比计为0.1以上0.9以下；和使所述R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与所述R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。