[发明专利]半导体材料和用于所述半导体材料的萘并呋喃基质化合物

摘要

本发明涉及一种包含电子传输基质化合物的半导体材料，所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分；基质化合物；和利用所述半导体材料的电子器件。

主权项

1.一种半导体材料，所述半导体材料包含电子传输基质化合物，所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分，所述至少一个极性结构部分选自a)由通过共价键连接在一起的周期表第15族的一个原子和周期表第16族的一个原子组成的结构部分，或b)选自吡啶‑2‑基、吡啶‑4‑基、喹啉‑4‑基和1,3,5‑三嗪‑2‑基的杂芳基，或c)具有式(Ia)或(Ib)的苯并咪唑基部分其中虚线表示连接式(Ia)或(Ib)的所述苯并咪唑基部分与分子的其它结构部分的键，R¹和R²选自(i)C₁‑C₂₄烷基，(ii)C₃‑C₂₄环烷基，(iii)C₆‑C₂₄芳基，(iv)C₇‑C₂₄芳基烷基，(v)各自包含至少一个杂原子的C₃‑C₂₄杂烷基或C₄‑C₂₄杂环烷基或C₈‑C₂₄芳基‑杂烷基，所述杂原子选自Si和Ge，(vi)各自包含至少一个杂原子的C₂‑C₂₄杂烷基或C₃‑C₂₄杂环烷基或C₇‑C₂₄芳基‑杂烷基，所述杂原子选自B和P，以及(vii)C₂‑C₂₄杂芳基，所述C₂‑C₂₄杂芳基包含至多4个独立地选自N、O和S的杂原子；其中所述至少一个电子传输结构部分包含苯并‑萘并呋喃结构部分，其条件为排除如下的情况：所述苯并‑萘并呋喃结构部分具有结构(IIa)且所述极性结构部分具有结构(Ib)。