[发明专利]通过靶使用期控制一或多个膜性质的自动电容调节器电流补偿有效
| 申请号： | 201680011100.1 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107250425B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 葛振斌;维韦卡·古普塔;阿道夫·米勒·艾伦;瑞安·汉森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54;H03J7/04;H03L7/06 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一些实施方式中，一种将含金属层沉积于设置在物理气相沉积(PVD)腔室中的基板上的方法，包括以下步骤：提供等离子体形成气体至该PVD腔室的处理区域；提供第一量的RF功率至与该基板相对设置的靶组件以在该PVD腔室的该处理区域内形成等离子体；溅射来自该靶组件的源材料以将含金属层沉积于该基板上，其中该源材料是在第一侵蚀状态；以及当该靶从该第一侵蚀状态侵蚀至第二侵蚀状态，溅射源材料以将该基板的表面处的离子能维持在预定范围内的同时，调节与基板支撑件耦接的自动电容调节器。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用期 控制 多个膜 性质 自动 电容 调节器 电流 补偿 | ||
【主权项】：
1.一种将含金属层沉积于设置在物理气相沉积(PVD)腔室中的基板上的方法，包括以下步骤：/n提供等离子体形成气体至所述PVD腔室的处理区域；/n提供第一量的RF功率至与所述基板相对设置的靶组件以在所述PVD腔室的所述处理区域内形成等离子体，所述靶组件具有靶寿命；/n溅射来自所述靶组件的源材料以将含金属层沉积于所述基板上，其中所述源材料是在第一侵蚀状态；以及/n当所述源材料从所述第一侵蚀状态侵蚀至第二侵蚀状态，溅射源材料以将所述基板的表面处的离子能维持在预定范围内的同时，调节与基板支撑件耦接的自动电容调节器，其中调节所述自动电容调节器的步骤包括将所述自动电容调节器的位置与所述自动电容调节器的预定设定点位置比较，其中通过确定基于预限定靶寿命补偿系数来计算预定设定点值，并且其中基于所述靶寿命来确定基于所述预限定靶寿命补偿系数，以当靶从所述第一侵蚀状态侵蚀至所述第二侵蚀状态的同时，将所述基板的表面处的所述离子能维持在所述预定范围内。/n
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