[发明专利]磁性隧道结、形成磁性隧道结时所使用的方法及形成磁性隧道结的方法有效
| 申请号： | 201680011709.9 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107408627B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在形成磁性隧道结时所使用的方法，其包括：在磁电极材料上方形成非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料包括MgO且所述磁电极材料包括Co及Fe。B接近所述隧道绝缘体材料及所述磁电极材料的对向表面。在所述磁电极材料及所述隧道绝缘体材料中的至少一者的侧壁上方形成B吸收材料。将B从接近所述对向表面处横向吸收到所述B吸收材料中。本发明揭示其它实施例，其包含与制造方法无关的磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 形成 使用 方法 | ||
【主权项】：
一种在形成磁性隧道结时所使用的方法，其包括：在磁电极材料上方形成非磁隧道绝缘体材料，所述隧道绝缘体材料包括MgO，所述磁电极材料包括Co及Fe，B接近所述隧道绝缘体材料及所述磁电极材料的对向表面；及在所述磁电极材料及所述隧道绝缘体材料中的至少一者的侧壁上方形成B吸收材料且将B从接近所述对向表面处横向吸收到所述B吸收材料中。
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