[发明专利]SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201680011723.9 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107407007B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 乘松润;宫坂晶;影岛庆明;龟井宏二;武藤大祐 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
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