[发明专利]扇出型晶片级封装件(FOWLP)中的射频(RF)屏蔽有效
| 申请号： | 201680011766.7 | 申请日： | 2016-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107258013B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | D·D·金;D·F·伯迪;M·F·维勒兹;C·H·芸;左丞杰;金钟海;M·M·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L25/065;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 接地屏蔽通过具有传导性表面的导体屏蔽件来实现，传导性表面直接围绕扇出型晶片级封装件(FOWLP)模块或器件内的各个芯片。FOWLP模块或器件内的各个芯片之间的模块间屏蔽通过由直接围绕每个芯片的导体屏蔽件的表面提供的电磁或无线电信号(RF)隔离来实现。导体屏蔽件直接连接到FOWLP的一个或多个接地的导体部分，以确保可靠的接地。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 晶片 封装 fowlp 中的 射频 rf 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：/n扇出型晶片级封装件FOWLP，包括至少一个导体部分和至少一个绝缘体部分；/n第一芯片，包括第一多个接触件，所述第一芯片被定位为与所述FOWLP直接接触；/n第二芯片，包括第二多个接触件，所述第二芯片被定位为与所述FOWLP直接接触，所述第一芯片和所述第二芯片通过间隙来间隔开，并且所述FOWLP的所述至少一个导体部分被定位为与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对；以及/n导体屏蔽件，包括多个导体表面，所述导体表面中的至少一个导体表面在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙下方延伸并且直接连接到所述FOWLP的与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对的所述至少一个导体部分，所述导体表面中的至少一个导体表面直接围绕所述第一芯片，并且所述导体表面中的至少一个导体表面直接围绕所述第二芯片，/n其中包括所述第一多个接触件的底表面的所述第一芯片的底表面、包括所述第二多个接触件的底表面的所述第二芯片的底表面、以及在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙下方延伸的并且与所述FOWLP的与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对的所述至少一个导体部分直接连接的所述导体表面中的所述至少一个导体表面实质上彼此齐平。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680011766.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
