[发明专利]形成磁隧道结的磁电极的方法及形成磁隧道结的方法有效
| 申请号： | 201680012152.0 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107258024B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的磁电极的导电材料上方。使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方。使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方。所述非晶体磁电极材料缺乏B。直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。本发明还揭示其它方法及非方法实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 隧道 磁电 方法 | ||
【主权项】：
一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的所述磁电极的导电材料上方；使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方；使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方，所述非晶体磁电极材料缺乏B；直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料，所述隧道绝缘体材料缺乏B；及在形成所述隧道绝缘体材料之后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料，所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。
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