[发明专利]半导体存储装置的改写方法以及半导体存储装置有效
| 申请号： | 201680012430.2 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107430889B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 永井裕康 | 申请（专利权）人： | 松下半导体解决方案株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括：第一改写步骤，向多个位线以及多个源极线的双方施加预充电电压；第二改写步骤，向选择位线或选择源极线的任一方施加改写电压；第三改写步骤，向选择位线以及选择源极线的双方施加改写电压；第四改写步骤，向选择位线或选择源极线的任一方施加预充电电压；以及第五改写步骤，向选择位线以及选择源极线的双方施加预充电电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 改写 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的改写方法，所述半导体存储装置具备存储器单元阵列、多个字线、多个位线、以及多个源极线，在从所述多个字线中将至少一个字线选择为选择字线、且从所述多个位线中将至少一个位线选择为选择位线、且从所述多个源极线中将至少一个源极线选择为选择源极线时，所述改写方法包括：第一改写步骤，向所述多个位线以及所述多个源极线的双方施加预充电电压；第二改写步骤，向所述选择位线或所述选择源极线的任一方施加改写电压；第三改写步骤，向所述选择位线以及所述选择源极线的双方施加改写电压；第四改写步骤，向所述选择位线或所述选择源极线的任一方施加预充电电压；以及第五改写步骤，向所述选择位线以及所述选择源极线的双方施加预充电电压。
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