[发明专利]电路基板及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201680012836.0 申请日: 2016-08-01
公开(公告)号: CN107408538B 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 那波隆之;加藤宽正;梅原政司 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H05K1/02
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 周欣;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
搜索关键词: 路基 半导体 装置
【主权项】:
1.一种电路基板,其具备:/n具有第1面和第2面的陶瓷基板、/n介由第1接合层与所述第1面接合的第1金属板、和/n介由第2接合层与所述第2面接合的第2金属板,/n所述第1接合层具有按照从所述第1面与所述第1金属板之间伸出的方式在所述第1面上延伸的第1伸出部,/n所述第2接合层具有按照从所述第2面与所述第2金属板之间伸出的方式在所述第2面上延伸的第2伸出部,/n所述陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上,/n所述第1伸出部的伸出长度L1相对于所述第1伸出部的厚度H1的比L1/H1、及所述第2伸出部的伸出长度L2相对于所述第2伸出部的厚度H2的比L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下,所述L1、L2、H1、H2的单位为μm,/n所述第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值、及所述第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。/n
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