[发明专利]系统级封装扇出叠层架构以及工艺流程有效
| 申请号： | 201680012959.4 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107408541B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 翟军;胡坤忠;K-Y·赖;庞蒙志;钟重华;S·Y·杨 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了封装以及形成方法。在实施方案中，系统级封装(SiP)包括第一(130)再分配层(RDL)和第二(180)再分配层、以及附接到该第一RDL的正面和背面的多个裸片(110,150)。该第一RDL和第二RDL与从第一RDL的背面延伸到第二RDL的正面的多个导电柱(140)耦接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 封装 扇出叠层 架构 以及 工艺流程 | ||
【主权项】：
一种封装，包括：第一再分配层(RDL)；附接到所述第一RDL的正面的第一裸片，其中所述第一RDL的第一再分配线沿所述第一裸片的底表面直接形成在第一接触垫上；将所述第一裸片包封在所述第一RDL的所述正面上的第一模制化合物；附接到所述第一RDL的背面的第二裸片的顶表面；第二RDL；从所述第一RDL的所述背面延伸到所述第二RDL的正面的多个导电柱；将所述第二裸片和所述多个导电柱包封在所述第一RDL的所述背面和所述第二RDL的所述正面之间的第二模制化合物。
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