[发明专利]分裂栅闪存阵列和逻辑器件的集成

摘要

本发明公开了一种存储器设备，所述存储器设备包括具有存储器区域(16)和逻辑器件区域(18)的半导体衬底。多个存储器单元形成于所述存储器区域中，每个存储器单元包括第一源极区和第一漏极区，其间具有第一沟道区；设置在所述第一沟道区的第一部分上方的浮栅；设置在所述浮栅上方的控制栅；设置在所述第一沟道区的第二部分上方的选择栅；以及设置在所述源极区上方的擦除栅。多个逻辑器件形成于所述逻辑器件区域中，每个逻辑器件包括第二源极区和第二漏极区，其间具有第二沟道区；以及设置在所述第二沟道区上方的逻辑门。所述衬底上表面在所述存储器区域中比在所述逻辑器件区域中凹陷得更低，使得所述更高的存储器单元具有与所述逻辑器件类似的上部高度。

主权项

一种存储器设备，包括：具有存储器区域和逻辑器件区域的半导体衬底，其中所述存储器区域中的所述衬底的上表面凹陷得低于所述逻辑器件区域中的所述衬底的上表面；形成于所述衬底的所述存储器区域中的多个存储器单元，其中所述存储器单元中的每一个包括：形成于所述衬底中的第一源极区，形成于所述衬底中的第一漏极区，其中第一沟道区限定在所述衬底中在所述第一源极区和所述第一漏极区之间，设置在所述第一沟道区的与所述源极区相邻的第一部分上方并且与其绝缘的浮栅，设置在所述浮栅上方并且与其绝缘的控制栅，设置在所述第一沟道区的与所述漏极区相邻的第二部分上方并且与其绝缘的选择栅，和设置在所述源极区上方并且与其绝缘的擦除栅；形成于所述衬底的所述逻辑器件区域中的多个逻辑器件，其中所述逻辑器件中的每一个包括：形成于所述衬底中的第二源极区，形成于所述衬底中的第二漏极区，其中第二沟道区限定在所述衬底中在所述第二源极区和所述第二漏极区之间，和设置在所述第二沟道区上方并且与其绝缘的逻辑门。