[发明专利]配置用于栅极过偏置的晶体管和由此而来的电路有效
| 申请号： | 201680014384.X | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107408946B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | A·L·S·洛克;B·俞;S·C·西兰纳斯;R·贾里泽纳里;P·埃萨卡尼安 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种电子电路和操作该电子电路的方法。该电子电路包括用于将输出电路的输入/输出(I/O)节点上拉到第一电压的上拉晶体管和用于将该上拉晶体管耦合到该I/O节点的第一隔离晶体管。该电子电路还包括用于将该I/O节点下拉到第二电压的下拉晶体管和用于将该下拉晶体管耦合到该I/O节点的第二隔离晶体管。在该电子电路中，该上拉晶体管和该下拉晶体管是支持第一漏源电压和第一栅源电压的晶体管，而第一隔离晶体管和第二隔离晶体管是支持第一漏源电压和大于第一栅源电压的第二栅源电压的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 配置 用于 栅极 偏置 晶体管 由此 电路 | ||
【主权项】：
一种电子电路，包括：用于将输入/输出(I/O)节点上拉到第一电压的上拉晶体管；用于将所述上拉晶体管耦合到所述I/O节点的第一隔离晶体管；用于将所述I/O节点下拉到第二电压的下拉晶体管；以及用于将所述下拉晶体管耦合到所述I/O节点的第二隔离晶体管，其中所述上拉晶体管和所述下拉晶体管包括支持第一最大漏源电压和第一最大栅源电压的第一金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)器件，并且其中所述第一隔离晶体管和所述第二隔离晶体管包括支持所述第一最大漏源电压和大于所述第一最大栅源电压的第二最大栅源电压的第二MOSFET器件。
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