[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201680014580.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107408502B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基板处理装置包括：基板保持部，将基板(9)保持为水平状态；处理液供给部，向基板(9)的上表面(91)上供给第一处理液、与第一处理液相比比重小且沸点高的第二处理液，从而在基板(9)的上表面(91)上形成第一处理液的液膜即第一液膜(71)、覆盖第一液膜(71)的上表面(73)的第二处理液的液膜即第二液膜(72)。在基板处理装置中，通过以第一处理液的沸点以上且比第二处理液的沸点低的温度进行第一液膜(71)的加热，利用在第二液膜(72)和基板(9)之间气化的第一处理液，使基板(9)的上表面(91)上的异物从基板(9)的上表面(91)剥离，来向第二液膜(72)内移动。由此能够抑制基板(9)的上表面(91)受到损伤，并且能够从基板(9)上适宜地去除异物。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，用于处理基板，其中，所述基板处理装置包括：基板保持部，将基板保持为水平状态，以及，处理液供给部，向所述基板的上表面上供给第一处理液、与所述第一处理液相比比重小且沸点高的第二处理液，从而在所述基板的所述上表面上形成所述第一处理液的液膜即第一液膜、用于覆盖所述第一液膜的上表面的所述第二处理液的液膜即第二液膜；通过以所述第一处理液的沸点以上且比所述第二处理液的沸点低的温度加热所述第一液膜，利用在所述第二液膜和所述基板之间气化的所述第一处理液，使所述基板的所述上表面上的异物从所述基板的所述上表面剥离，来向所述第二液膜内移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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