[发明专利]产生薄无机膜的方法在审
| 申请号： | 201680014837.9 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107406981A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | J·施皮尔曼;F·阿贝尔斯;F·布拉斯伯格;K·费得塞勒;C·席尔德克内希特;D·勒夫勒;T·阿德尔曼;J·弗朗克;K·希尔勒-阿恩特;S·魏戈尼 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/18;C23C16/40;C07D207/08;C07F7/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 张双双,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明属于在基材上产生薄无机膜的方法的领域。特别地，本发明涉及一种方法，其包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶状态和将该通式(I)化合物由该气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中R1、R2、R3、R4彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA3基团，其中A为烷基或芳基，且R1、R2、R3、R4中的至少两个为SiA3基团，n为1至4的整数，M为金属或半金属，X为与M配位的配体，和m为0至4的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 无机 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶状态和将所述通式(I)化合物由所述气态或气溶胶状态沉积至固体基材上其中R1、R2、R3、R4彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA3基团，其中A为烷基或芳基，且R1、R2、R3、R4中的至少两个为SiA3基团，n为1至4的整数，M为金属或半金属，X为与M配位的配体，和m为0至4的整数。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
