[发明专利]磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件有效
申请号: | 201680014848.7 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN107406333B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 松本卓士;碇真宪 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C30B29/22;G02B1/02;G02B27/28 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
作为不会吸收波长范围0.9~1.1μm的光纤激光,因此适于构成抑制了热透镜的产生的光隔离器等磁光学器件的透明的磁光学材料,提供由包含下述式(1)所示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或下述式(1)所示的复合氧化物的单晶构成的磁光学材料。Tb |
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搜索关键词: | 光学材料 及其 制造 方法 以及 光学 器件 | ||
【主权项】:
磁光学材料,其特征在于,由包含下述式(1)所示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或下述式(1)所示的复合氧化物的单晶构成,Tb2xR2(2‑x)O8‑x (1)式中,为0.800<x<1.00,R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素,不过,对于硅、锗和钽,不包括为所述元素单独的情形。
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