[发明专利]光电器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201680015124.4 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107408585B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | J·W·麦卡米;马智训;B·卡巴甘比;K·K·克拉姆;洪正宏;G·J·内里斯 | 申请（专利权）人： | 维特罗平板玻璃有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L51/00;H01L51/44;H01L51/52;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/0216;H01L31/18;C03C17/34;C03C17/36;C03C17/40;C03B18/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 姜煌 |
| 地址： | 美国宾西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电器件(10)包括：具有第一表面(14)和第二表面(16)的第一基材(12)；位于该第二表面(16)上的底层(18)；位于该底层(18)上的第一导电层(20)；位于该第一导电层(20)上的覆盖层(22)；位于该第一导电层(20)上的半导体层(24)；和位于该半导体层(24)上的第二导电层(26)。该第一导电层(20)包括导电氧化物和选自钨、钼、铌和氟的至少一种掺杂剂；和/或该覆盖层(22)包括缓冲层(42)，该缓冲层(42)包括氧化锡和选自锌、铟、镓和镁的至少一种材料。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电器件(10)，其包含：具有第一表面(14)和第二表面(16)的第一基材(12)；在该第二表面(16)上的光电涂层(17)，其包含：位于该第二表面(16)上的底层(18)；位于该底层(18)上的第一导电层(20)；位于该第一导电层(20)上的覆盖层(22)；位于该第一导电层(20)上的半导体层(24)；和位于该半导体层(24)上的第二导电层(26)，其中(i)该第一导电层(20)包含导电氧化物和选自钨、钼、铌和氟的至少一种掺杂剂，和/或(i i)该覆盖层(22)包含缓冲层(42)，该缓冲层(42)包含氧化锡和选自锌、铟、镓和镁的至少一种材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
