[发明专利]等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201680015153.0 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107408487B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·利坎斯奇;史费特那·B·瑞都凡诺;威廉·戴维斯·李 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。本发明的等离子体处理设备允许多种多样的离子束角度并且因此允许多种多样的入射角度，且同时还能保持良好角展度。 | ||
| 搜索关键词： | 倾角 离子束 多孔 提取 系统 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：顶表面；等离子体处理室，包括多个侧壁，所述等离子体处理室以提取电压被偏压，所述提取电压为所述等离子体处理室相对于衬底的电压；射频线圈，用以激发处理气体以在所述等离子体处理室中形成等离子体；以及底表面，其包括多个板，所述多个板中的每一个枢转地附接到所述底表面并且以提取板电压被偏压，其中通过由所述多个板限定的孔口提取离子细束，当要从所述等离子体处理室提取正离子时，所述提取板电压等于所述提取电压或者所述提取板电压比所述提取电压少偏正。
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