[发明专利]带有3D鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元，其包括具有鳍形上表面的半导体衬底，所述鳍形上表面具有顶部表面和两个侧表面。源极区和漏极区形成在所述鳍形上表面部分中，沟道区位于源极区和漏极区之间。导电浮栅包括沿所述顶部表面的第一部分延伸的第一部分，以及分别沿所述两个侧表面的第一部分延伸的第二部分和第三部分。导电控制栅包括沿所述顶部表面的第二部分延伸的第一部分、分别沿所述两个侧表面的第二部分延伸的第二部分和第三部分、沿所述浮栅第一部分的至少一些向上并在其上方延伸的第四部分、以及分别延伸出并在所述浮栅第二部分和第三部分的至少一些上方延伸的第五部分和第六部分。

主权项

一种非易失性存储器单元，包括：第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍形上表面部分，所述鳍形上表面部分具有顶部表面和两个侧表面；在所述鳍形上表面部分中不同于所述第一导电类型的第二导电类型的间隔开的第一区和第二区，沟道区在所述第一区和所述第二区之间延伸；其中所述沟道区具有包括所述顶部表面的第一部分和所述两个侧表面的第一部分的第一部分，并且具有包括所述顶部表面的第二部分和所述两个侧表面的第二部分的第二部分，导电浮栅，所述导电浮栅包括：第一部分，所述第一部分沿所述顶部表面的所述第一部分延伸并且与其绝缘；第二部分，所述第二部分沿所述两个侧表面中的一个的所述第一部分延伸并与其绝缘，和第三部分，所述第三部分沿所述两个侧表面中的另一个的所述第一部分延伸并与其绝缘；导电控制栅，所述导电控制栅包括：第一部分，所述第一部分沿所述顶部表面的所述第二部分延伸并与其绝缘，第二部分，所述第二部分沿所述两个侧表面中的一个的所述第二部分延伸并与其绝缘，第三部分，所述第三部分沿所述两个侧表面中的另一个的所述第二部分延伸并与其绝缘，第四部分，所述第四部分沿所述浮栅第一部分中的至少一些向上并在其上方延伸并与其绝缘，第五部分，所述第五部分延伸出并在所述浮栅第二部分的至少一些上方延伸并与其绝缘，和第六部分，所述第六部分延伸出并在所述浮栅第三部分的至少一些上方延伸并与其绝缘。