[发明专利]加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池有效
| 申请号： | 201680015469.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107408497B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | B·J·哈勒姆;S·R·韦纳姆;M·D·阿博特;P·G·哈默 | 申请（专利权）人： | 新南创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/428 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池，尤其提供一种用于加速掺杂硅中的缺陷的形成的方法。将掺杂硅区域暴露于高强度电磁辐射，以提供显著过剩的多数载流子并且促进缺陷形成的高速率，以允许有效的硅钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 加速 掺杂 缺陷 形成 稳定 电池 性能 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加速掺杂硅中的缺陷的形成的方法，所述方法包括以下步骤：以使得具有高于所述硅的带隙的能量的能量的光子提供至少3suns的辐射强度的方式，将所述掺杂硅的一部分暴露于电磁辐射；以及其中，在暴露于所述电磁辐射期间，以使得在暴露的部分中维持高于所述暴露的部分的有效掺杂浓度的10％的最小过剩多数载流子浓度的方式，选择所述辐射源的一个或更多个参数。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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