[发明专利]导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件

摘要

本说明书提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

主权项

1.一种导电结构体，包括：包含第一金属化合物的第一介电层；面向所述包含第一金属化合物的第一介电层设置的包含第二金属化合物的第二介电层；以及设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间的金属层，其中，所述第一金属化合物和所述第二金属化合物分别独立地包括包含选自Hf、Nb、Zr、Y、Ta、La、V、Ti、Ni、B、Si、和In中的至少一种的氧化物，其中，所述导电结构体满足下面给出的数学式1：[数学式1][数学式2][数学式3][数学式4][数学式5][数学式6]在数学式1中，D_eff表示通过数学式2和数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层的平均折射率的分散度，k_{eff_dielectric}表示通过数学式3和数学式4得到的所述第一介电层和所述第二介电层的平均消光系数，d表示所述第一介电层、所述第二介电层和所述金属层的总厚度，k_{eff_metal}表示通过数学式5和数学式6得到的所述第一介电层、所述第二介电层和所述金属层的平均消光系数，在数学式2中，n_{eff_550}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为550nm的光中的平均折射率，n_{eff_450}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为450nm的光中的平均折射率，n_{eff_380}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为380nm的光中的平均折射率，在数学式3和数学式4中，n₁表示所述第一介电层的折射率，n₂表示所述第二介电层的折射率，k₁表示所述第一介电层的消光系数，k₂表示所述第二介电层的消光系数，f₁表示所述第一介电层与所述第一介电层和所述第二介电层的厚度比例，f₂表示所述第二介电层与所述第一介电层和所述第二介电层的厚度比例，在数学式5和数学式6中，n₃表示所述第一介电层与所述第二介电层的平均折射率n_{eff_dielectric}，n₄表示所述金属层的折射率，k₃表示所述第一介电层和所述第二介电层的平均消光系数k_{eff_dielectric}，k₄表示所述金属层的消光系数，f₃表示所述第一介电层和所述第二介电层与所述导电结构体的厚度比例，f₄表示所述金属层与所述导电结构体的厚度比例，所述第一介电层和所述第二介电层的平均消光系数k_{eff_dielectric}和所述第一介电层、所述第二介电层和所述金属层的平均消光系数k_{eff_metal}分别是在波长为380nm的光中测得的值。