[发明专利]阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201680015860.X | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107636823A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 袁泽;余晓军;古普塔阿米特;魏鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种阵列基板的制造方法，所述方法包括在衬底(110)上形成信号传输线(120)以及栅极(130)；所述信号传输线(120)和所述栅极(130)之间设有间隙；在所述信号传输线(120)以及所述栅极(130)上形成栅极绝缘层(140)以及有源层(150)；在所述栅极绝缘层(140)及所述有源层(150)上形成有机绝缘层(160)；图案化所述有机绝缘层(160)，形成对应所述信号传输线(120)的贯孔(1601)；以图案化的有机绝缘层(160)为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层(140)以露出所述信号传输线(120)；在所述贯孔(1601)上形成第一导电层(170)导通所述信号传输线(120)，该方法只通过四次光罩就可以完成阵列基板的制备，相对于现有技术减少了一道光罩，简化生产工艺，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括:在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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