[发明专利]薄膜晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201680015888.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107438903B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵继刚;袁泽;余晓军;魏鹏;古普塔阿米特;鲁萍;琼蒂娜;罗浩俊;游埃里克凯翔 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管制造方法，包括：在基板(10)的表面上依次形成栅极(11)、覆盖栅极(11)及基板(10)表面形成栅极绝缘层(12)、位于所述栅极(11)上方形成有源层(13)、正投影于有源层(13)中部的蚀刻阻挡层(14)及在有源层(13)、蚀刻阻挡层(14)及栅极绝缘层(12)上形成包括覆盖所述蚀刻阻挡层(14)的第一区域(151)以及连接所述第一区域(151)相对两侧的第二区域(152)，所述每一第二区域(152)与所述有源层(13)及蚀刻阻挡层(14)连接的金属层(15)；在金属层(15)上形成光阻层(16)并形成被光阻层(16)覆盖的与第一区域(151)连接的第三区域；去除部分光阻层(16)，保留覆盖第三区域的剩余光阻层(16)并以露出部分第一区域(151)；去除露出的第一区域(151)，保留位于蚀刻阻挡层(14)相对两侧的与剩余光阻层(16)连接且高度相同的剩余的第一区域(151)，同时露出蚀刻阻挡层(14)；去除剩余的光阻层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板的上形成栅极、栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层和有源层上形成保护层；图案化所述保护层以在所述有源层上形成蚀刻阻挡层；在所述有源层、蚀刻阻挡层及栅极绝缘层上形成金属层；在所述金属层的第一区域涂覆光敏层；去除部分所述光敏层显露覆盖所述蚀刻阻挡层上的部分所述金属层的第一区域；以及去除所述金属层露出部分所述蚀刻阻挡层。
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