[发明专利]高耐压肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201680016834.9 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107534062B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;后藤健;东胁正高;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;C23C16/40;C30B29/16;H01L21/329;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种耐压特性优异的Ga |
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| 搜索关键词： | 耐压 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种高耐压肖特基势垒二极管，其特征在于，具有：第一层，其包含第一Ga2O3系单晶，有效施主浓度为1×1013cm‑3以上且6.0×1017cm‑3以下，上述第一Ga2O3系单晶含有第一IV族元素和浓度为5×1016cm‑3以下的Cl；第二层，其包含第二Ga2O3系单晶，与上述第一层相比有效施主浓度高，层叠于上述第一层，上述第二Ga2O3系单晶含有第二IV族元素；阳极电极，其形成在上述第一层上；以及阴极电极，其形成在上述第二层上。
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