[发明专利]传感器设备有效
申请号: | 201680016890.2 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN107431077B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | A.沃伊西克;H.哈尔布里特;K.奥恩;T.伯斯克 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑瑾彤;杜荔南 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种传感器设备,包括:载体和透镜装置,所述载体具有平坦的载体表面,在所述载体表面上布置多个光电检测器,每一个光电检测器具有背离载体表面的光敏传感器表面,所述透镜装置与传感器表面相对并且具有光轴,以用于将电磁辐射光学成像到传感器表面上,使得透镜装置可以将电磁辐射成像在传感器表面上,其中所述多个光电检测器包括至少一个光电检测器,所述至少一个光电检测器的传感器表面具有至少一个性质,所述至少一个性质不同于所述多个光电检测器中基于透镜装置的光轴而布置成在载体表面上比所述至少一个光电检测器更靠近光轴的光电检测器的传感器表面的性质,以便减少透镜装置的光学成像误差。本发明还涉及激光雷达系统和车辆。 | ||
搜索关键词: | 传感器 设备 | ||
【主权项】:
一种传感器设备(501,1001),包括:‑ 载体(503),‑ 所述载体(503)具有平坦的载体表面(507),‑ 在所述载体表面(507)上布置大量光电检测器(505,701),‑ 所述光电检测器各自包括光敏传感器区域(509),所述光敏传感器区域(509)远离所述载体表面(507),以及‑ 透镜装置(101),布置为与所述传感器区域(509)相对并且包括光轴(105),以用于将电磁辐射光学成像到所述传感器区域(509)上,使得所述透镜装置(101)能够将电磁辐射成像到所述传感器区域(509),‑ 其中所述大量光电检测器(505,701)包括至少一个光电检测器(505,701),所述至少一个光电检测器(505,701)的传感器区域(509)包括与所述大量光电检测器(505,701)中以下光电检测器(505,701)的传感器区域(509)的性质(513,515,517,1003,1005)不同的至少一个性质(513,515,517,1003,1005),即该光电检测器相对于所述透镜装置(101)的所述光轴(105)布置成在所述载体表面(507)上比所述至少一个光电检测器(505,701)更靠近所述光轴(105),以便减少所述透镜装置(101)的光学像差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680016890.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成像元件及其制造方法和电子设备
- 下一篇:固体摄像元件和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的