[发明专利]用于N/P调谐的鳍式FET器件

摘要

集成逻辑电路中n型与p型鳍式FET强度比可通过使用有源和虚设栅极电极中的切割区来被调谐。在一些示例中，可使用针对虚设栅极电极和有源栅极电极的分开的切割区以允许不同长度的栅极导通有源区，从而得到被恰适调谐的集成逻辑电路。

主权项

一种鳍式FET，包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。