[发明专利]用于改善嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法在审
| 申请号： | 201680017108.9 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN107406660A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | C.纳瓦罗;C.尼科利特;R.伊努布利;X.舍瓦利耶 | 申请（专利权）人： | 阿科玛法国公司 |
| 主分类号： | C08L53/00 | 分类号： | C08L53/00;G03F7/004;C08J5/18;C09D153/00;C08F212/08;C08F220/14;C08F297/02;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在纳米尺度上控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法。本发明还涉及用于控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的组合物，和涉及由此获得的有序膜，所述有序膜特别地可用作光刻领域中的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 共聚物 有序 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
可改善包括嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法，所述有序膜包括至少一种具有有序‑无序转变温度(TODT)和至少一种Tg的嵌段共聚物与至少一种不具有TODT的嵌段共聚物的混合物，该混合物具有低于单独的嵌段共聚物的TODT的TODT，所述方法包括下列步骤：‑将至少一种具有TODT的嵌段共聚物与至少一种不具有TODT的嵌段共聚物在溶剂中混合，‑将该混合物沉积于表面上，‑在不具有TODT的嵌段共聚物的最高Tg与所述混合物的TODT之间的温度下将沉积在所述表面上的混合物固化。
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