[发明专利]使用极化的铁电聚合物无缺陷地直接干法层离CVD石墨烯在审
| 申请号： | 201680017209.6 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107406258A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | B·欧伊尔迈兹;I·马丁费尔南德斯;C·T·卓 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;B82Y40/00;B32B7/06;B32B7/10;B32B38/10 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 黄琳娟 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种从其生长基底剥离石墨烯层的方法，包括使用来自极化的铁电层的静电场在石墨烯层与生长基底之间产生相对于石墨烯层与极化的铁电聚合物层之间的粘附力而言降低的相对粘附力。提供了用于从生长基底层离石墨烯层的相关制品和技术。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 极化 聚合物 缺陷 直接 干法层离 cvd 石墨 | ||
【主权项】：
一种用于从生长基底层离石墨烯层的制品，该制品包含：在生长基底上的石墨烯层；和在所述石墨烯层上的极化的铁电聚合物层，所述石墨烯层被粘附于并夹在所述极化的铁电聚合物层与所述生长基底之间，对所述极化的铁电聚合物层进行布置和极化以在所述石墨烯层和所述生长基底之间产生相对于所述石墨烯层与所述极化的铁电聚合物层之间的粘附力而言降低的相对粘附力。
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